Intel utilise la technologie High NA EUV d’ASML
Intel Foundry a lancé la production en grande série d’une partie des processeurs Intel Core Ultra Series 3, nom de code Panther Lake, en utilisant la technologie EXE High NA EUV d’ASML.
ASML a annoncé qu’Intel Foundry utilise la technologie High NA EUV d’ASML sur le nœud de gravure Intel 18A pour produire une partie de ses processeurs Intel Core Ultra Series 3. Selon un communiqué de presse d’ASML, cette étape marque une avancée importante dans la démonstration de la maturité de la technologie High NA EUV dans un environnement de production.
ASML et Intel collaborent étroitement depuis plusieurs décennies afin de faire progresser les technologies de lithographie et de soutenir la poursuite de la miniaturisation des semi-conducteurs. La lithographie en ultraviolet extrême à haute ouverture numérique (High NA EUV) constitue une évolution majeure de la lithographie EUV, développée par ASML pour permettre une gravure plus précise des motifs nécessaires à la fabrication des puces les plus avancées.
Les processeurs Intel Core Ultra Series 3, connus sous le nom de code Panther Lake, sont fabriqués selon le procédé Intel 18A. L’utilisation de la technologie High NA EUV pour graver certaines couches de ces produits fournit à ASML et à Intel Foundry des données précieuses afin d’optimiser davantage la configuration des systèmes, leur disponibilité et leur mise en œuvre en production. Selon le communiqué, cela ouvre la voie à une adoption plus large de cette technologie en exploitant pleinement son potentiel.
« Grâce à une résolution accrue et à un meilleur contrôle des procédés, l’introduction de la technologie High NA EUV représente une avancée majeure dans le domaine de la lithographie des semi-conducteurs », a déclaré Christophe Fouquet, président-directeur général d’ASML. « Nous sommes fiers de contribuer à la réalisation de motifs toujours plus fins et plus denses, qui accéléreront les progrès de l’intelligence artificielle et d’autres technologies émergentes. »
« Cette étape reflète l’étroite collaboration technique entre Intel et ASML et démontre que la technologie High NA EUV peut être intégrée à grande échelle dans la fabrication avancée de semi-conducteurs », a déclaré Naga Chandrasekaran, vice-président exécutif et directeur général d’Intel Foundry. « En qualifiant l’option de procédé High NA EUV sur certaines couches de produits Intel 18A, notre parc actuel d’équipements permet déjà d’augmenter les volumes de production pour nos clients, tandis que nous développons de nouvelles solutions afin d’atteindre des performances, une densité et une flexibilité de fabrication de premier plan sur les futurs nœuds technologiques. »
En 2024, Intel et ASML ont achevé l’intégration du premier système commercial de lithographie High NA EUV au monde sur le site de recherche et développement d’Intel à Hillsboro, dans l’Oregon. Intel Foundry a également été la première entreprise à installer et à réussir les tests de réception du système de deuxième génération, le TWINSCAN EXE:5200B, qui s’appuie sur le TWINSCAN EXE:5000 en offrant une productivité accrue, une meilleure précision de superposition (overlay) ainsi qu’une source lumineuse améliorée. Avec cette annonce, Intel Foundry devient le premier acteur du secteur à livrer un produit logique fabriqué en grande série à l’aide de la technologie High NA EUV.


