Les nouveaux semi-conducteurs GaN de STM améliorent l’efficacité énergétique
Les nouveaux composants PowerGaN de STMicroelectronics offrent un rendement élevé et une forte densité de puissance pour les alimentations haute tension. Conçus pour une tension de fonctionnement de 700 V, ils permettent un fonctionnement fiable à haute puissance ainsi que l’utilisation de topologies à fréquence plus élevée.
Les nouveaux semi-conducteurs de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) développés par STMicroelectronics (STM) visent à améliorer l’efficacité énergétique et à accroître la densité de puissance dans les applications exigeantes liées à l’électrification.
Les dispositifs PowerGaN 700 V de la gamme STPOWER répondent à des défis tels que l’augmentation de la consommation énergétique des serveurs d’intelligence artificielle et le besoin de solutions de conversion de puissance plus performantes, au-delà des limites des technologies traditionnelles à base de silicium, indique l’entreprise.
Les nouveaux composants PowerGaN de STM offrent un rendement élevé et une forte densité de puissance pour les alimentations haute tension. Conçus pour une tension de fonctionnement de 700 V, ils assurent un fonctionnement fiable à forte puissance tout en prenant en charge des architectures fonctionnant à des fréquences plus élevées.
Les avantages intrinsèques de la technologie PowerGaN — notamment de faibles pertes par conduction, des pertes de commutation extrêmement réduites à haute fréquence de fonctionnement et une charge de récupération inverse nulle — permettent de diminuer la taille, le poids et la température de fonctionnement des systèmes. Selon l’entreprise, ces caractéristiques sont particulièrement importantes pour les semi-conducteurs de puissance utilisés dans la robotique, les alimentations industrielles et les convertisseurs de réseaux électriques intelligents dédiés à la production, à la distribution et au stockage de l’énergie.
« L’élargissement de notre portefeuille PowerGaN avec de nouveaux dispositifs 700 V étend les avantages de la technologie au nitrure de gallium aux applications de moyenne et de forte puissance », a déclaré Mario Aleo, vice-président exécutif du sous-groupe Power & Discrete chez STMicroelectronics. « Nous continuerons à enrichir ce portefeuille avec de nouvelles classes de tension et des fonctionnalités supplémentaires, renforçant ainsi notre engagement envers le GaN pour les serveurs IA de demain, la robotique humanoïde, les applications industrielles de puissance et les équipements grand public avancés, notamment les appareils électroménagers. »
