Croissance à deux chiffres des équipements 300 mm en 2026–2027

Cette forte croissance reflète l’augmentation de la demande en puces pour l’intelligence artificielle, tant dans les centres de données que dans les dispositifs edge, ainsi que l’engagement croissant en faveur de l’autonomie en matière de semi-conducteurs dans les principales régions, à travers des écosystèmes industriels localisés et la reconfiguration des chaînes d’approvisionnement.

À plus long terme, le rapport prévoit une poursuite de la hausse des investissements, avec une augmentation de 3 % à 155 milliards de dollars en 2028, puis de 11 % à 172 milliards en 2029.

« L’IA redéfinit l’échelle des investissements dans la fabrication des semi-conducteurs », a déclaré Ajit Manocha, président et directeur général de SEMI, dans un communiqué. « Avec des dépenses mondiales en équipements pour fabs 300 mm dépassant pour la première fois les 150 milliards de dollars en 2027, l’industrie s’engage dans des investissements historiques et durables en capacités avancées et en chaînes d’approvisionnement résilientes, indispensables pour soutenir l’ère de l’IA. »

Le segment logique et micro devrait être le principal moteur de l’expansion des équipements, avec 228 milliards de dollars d’investissements cumulés entre 2027 et 2029, principalement portés par la forte demande du secteur des fonderies et les investissements dans les technologies de pointe en dessous de 2 nm.

Le segment mémoire devrait se classer en deuxième position avec 175 milliards de dollars de dépenses en équipements sur la période 2027–2029. Cette phase marque le début d’un nouveau cycle de croissance pour ce segment. Dans ce cadre, les dépenses en équipements DRAM devraient atteindre 111 milliards de dollars cumulés entre 2027 et 2029, tandis que celles liées au 3D NAND sont estimées à 62 milliards sur la même période.

La demande de mémoire a fortement augmenté en raison de l’entraînement et de l’inférence des modèles d’IA. L’entraînement a notamment stimulé la demande de mémoire à large bande passante (HBM), tandis que l’inférence a généré un besoin accru de capacité de stockage, soutenant ainsi la croissance des applications NAND Flash dans les centres de données.

Tendances régionales d’investissement

Les investissements mondiaux dans les équipements pour fabs 300 mm devraient rester largement répartis entre les principales régions de production de semi-conducteurs entre 2027 et 2029, reflétant une combinaison d’expansion des nœuds avancés, d’augmentation des capacités mémoire et de politiques de relocalisation des chaînes d’approvisionnement. La Chine, Taïwan, la Corée et les Amériques devraient enregistrer des niveaux d’investissement élevés, tandis que le Japon, l’Europe et le Moyen-Orient, ainsi que l’Asie du Sud-Est, continueront à croître à partir d’une base plus limitée.

En Chine, les investissements devraient rester soutenus par l’expansion des capacités domestiques et par des initiatives nationales visant à renforcer l’industrie des semi-conducteurs. À Taïwan, les dépenses seront principalement tirées par l’expansion continue des capacités de fonderie de pointe, notamment autour des technologies 2 nm et sub-2 nm. En Corée, les perspectives d’investissement restent étroitement liées au segment mémoire, où la demande liée à l’IA soutient un nouveau cycle d’augmentation des capacités et de modernisation technologique. Dans les Amériques, les investissements devraient être portés par l’expansion des procédés avancés et par des efforts plus larges visant à renforcer les écosystèmes de production nationaux.