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GaN-300-millimeter-Technology
© Infineon
Analyses |

Infineon prévoit un marché du GaN à 3 milliards de dollars d’ici 2030

Le fabricant allemand de semi-conducteurs Infineon Technologies prévoit que le marché des semi-conducteurs de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) atteindra près de 3 milliards de dollars d’ici 2030, selon l’édition 2026 de son rapport annuel « GaN Insights ».

S’appuyant sur des projections d’analystes, l’entreprise indique que le marché devrait enregistrer un taux de croissance annuel moyen (TCAC) de 44 % entre 2025 et 2030. Le chiffre d’affaires est attendu à 920 millions de dollars en 2026, soit une hausse de 58 % par rapport à 2025. La prévision pour 2030 représenterait ainsi une augmentation d’environ 400 % par rapport aux niveaux de 2025, selon Infineon.

Selon le groupe, cette croissance rapide est portée par les montées en cadence de production entamées en 2025, qui favorisent une adoption plus large du GaN dans plusieurs secteurs industriels et ouvrent la voie à de nouvelles applications.

Avancées produits mises en avant

Dans son rapport, Infineon détaille les progrès réalisés dans les interrupteurs GaN bidirectionnels haute tension, reposant sur une architecture à drain commun et à double grille, basée sur la technologie Gate Injection Transistor (GIT).

D’après l’entreprise, cette architecture permet à une même zone de dérive de bloquer les tensions dans les deux sens, ce qui réduit la surface de la puce par rapport aux conceptions back-to-back classiques. Infineon affirme que ses interrupteurs bidirectionnels CoolGaN, fonctionnant à des fréquences allant jusqu’à 1 MHz, peuvent permettre aux micro-onduleurs solaires de fournir jusqu’à 40 % de puissance supplémentaire à taille d’onduleur identique, tout en réduisant les coûts système.

Extension vers de nouvelles applications

Toujours selon le rapport, la technologie GaN dépasse désormais ses usages établis — tels que les onduleurs solaires et les chargeurs embarqués pour véhicules électriques — pour s’étendre à des domaines comme les centres de données dédiés à l’IA, la robotique, les énergies renouvelables, la santé numérique et l’informatique quantique.

Dans les centres de données, Infineon affirme que les alimentations électriques basées sur le GaN peuvent réduire les pertes de puissance jusqu’à 30 %, tout en permettant des architectures plus efficaces et plus compactes. En robotique, l’entreprise indique que les variateurs de moteurs GaN utilisés dans les robots humanoïdes peuvent être jusqu’à 40 % plus compacts et offrir un contrôle du mouvement amélioré.


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