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Industrie électronique |

onsemi et Innoscience accélèrent le déploiement des dispositifs de puissance GaN

La collaboration associe l’expertise d’onsemi en matière de systèmes intégrés et de packaging avec la technologie GaN et la capacité de production à grande échelle d’Innoscience, afin de livrer des produits GaN destinés aux marchés industriels, automobiles, des infrastructures télécom, de l’électronique grand public et des centres de données alimentés par l’IA.

La société américaine onsemi et le fabricant chinois Innoscience ont annoncé la signature d’un protocole d’accord (MoU) visant à évaluer des opportunités pour accélérer le déploiement des dispositifs de puissance GaN, à commencer par les plages de tension de 40 à 200 V, et à élargżyć de façon significativa leur adoption par les clients.

La collaboration prévue dans le MoU combine l’expertise d’onsemi en matière de systèmes intégrés et d’emballage avec la technologie GaN et la production à haut volume d’Innoscience, permettant de proposer des solutions GaN pour les marchés industriels, automobiles, des infrastructures télécom, du grand public et des centres de données IA, selon le communiqué d’onsemi.

« À mesure que les besoins énergétiques augmentent dans tous les secteurs, le GaN offre une efficacité supérieure, une taille plus compacte et des pertes d’énergie plus faibles que d’autres matériaux. Jusqu’à présent, dans les segments basse et moyenne tension, les coûts et les contraintes d’approvisionnement ont limité son adoption à grande échelle », a déclaré Antoine Jalabert, vice-président de la stratégie d’entreprise chez onsemi. « Grâce à cette collaboration avec Innoscience, nous prévoyons d’accéder à l’empreinte de production GaN la plus importante du marché et de pouvoir rapidement étendre nos offres GaN pour les clients du monde entier, favorisant ainsi une adoption plus large dans les applications énergétiques grand public. »

« La technologie GaN est essentielle pour améliorer l’électronique, créer des systèmes d’alimentation plus petits et plus efficaces, économiser l’énergie électrique et réduire les émissions de CO₂ », a déclaré Yi Sun, vice-président senior, produit et ingénierie chez Innoscience. « Innoscience est ravie d’explorer une opportunité de collaboration stratégique avec onsemi, afin d’étendre et d’accélérer l’adoption mondiale des dispositifs de puissance GaN et de créer une plateforme d’intégration de systèmes basée sur le vaste portefeuille d’onsemi. »


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