Navitas propulse l’architecture électrique 800 VDC pour les plateformes NVIDIA d’usines d’IA
Navitas a annoncé dans un communiqué le lancement de ses nouveaux FET GaN 100 V, ainsi que de ses dispositifs GaN 650 V et SiC haute tension, spécialement conçus pour l’architecture d’usine IA 800 VDC de NVIDIA, offrant une efficacité, une densité de puissance et des performances révolutionnaires.
L’émergence des « AI factories », nouveaux data centers conçus pour des charges de calcul massif en intelligence artificielle et en HPC, bouleverse les besoins énergétiques. Le modèle traditionnel à 54 VDC ne suffit plus pour les racks de plusieurs mégawatts. L’architecture 800 VDC promise par NVIDIA introduit un saut technologique : réduction majeure des pertes résistives, infrastructure évolutive pour délivrer des puissances extrêmes, compatibilité mondiale avec la norme IEC LVDC (jusqu’à 1 500 VDC) et gestion thermique plus optimisée.
Le parcours énergétique : conversion directe du réseau à la carte GPU
La clé de l’efficacité réside dans une conversion directe du réseau 13,8 kVAC vers 800 VDC via transformateurs à semi-conducteurs et redresseurs industriels. Fini la multiplication des étages AC/DC et DC/DC : cette distribution rationalisée alimente les racks IT sans étape AC-DC supplémentaire.
Deux conversions DC-DC haute efficacité (800 VDC vers 54/12 VDC puis vers la tension GPU) suffisent pour alimenter les plateformes d’IA de pointe comme NVIDIA Rubin Ultra, minimisant ainsi les pertes et le volume des équipements.
Navitas, l’innovation semi-conducteur GaN et SiC au cœur de l’IA
Navitas se positionne comme un pionnier du grand gap énergétique avec ses technologies GaNFast (nitrure de gallium) et GeneSiC (carbure de silicium). Ces dispositifs permettent des conversions énergétiques à haut rendement et forte densité sur tous les étages, de l’alimentation réseau jusqu’au circuit GPU.
Le nouveau portefeuille de FETs GaN 100 V, optimisé pour les conversions DC-DC sur les cartes GPUs, offre une efficacité et une gestion thermique exceptionnelles, grâce à un packaging double-face refroidi idéal pour des environnements très densifiés.
Un écosystème de fabrication évolutif et sécurisé
La fabrication des FETs 100 V GaN sur substrat 200 mm, via le partenariat avec Power Chip, assure à Navitas une capacité de production répondant à la montée en puissance du marché. Sa gamme 650 V GaN intègre la technologie GaNSafe, combinant efficacité énergétique et sécurité exceptionnelle : protection contre court-circuit ultra-rapide, immunité ESD 2 kV sur toutes les broches, contrôle de la dynamique de commutation, pour une performance adaptée aux contraintes extrêmes des infrastructures IA modernes.
Le carbure de silicium GeneSiC : fiabilité et polyvalence
Les modules GeneSiC exploitent la structure « trench-assisted planar », assurant performance thermique et rapidité, pour des systèmes de stockage d’énergie et onduleurs réseau à plusieurs mégawatts. Leurs capacités de tension (de 650 V à 6 500 V) ouvrent la voie à des applications allant du data center industriel aux projets collaboratifs avec le département américain de l’énergie.
