GlobalFoundries obtient une licence de technologie GaN de TSMC
GlobalFoundries (GF) a conclu un accord de licence technologique avec TSMC portant sur les technologies au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 80 V. Cet accord vise à accélérer le développement de la prochaine génération de produits GaN de GF destinés aux applications d’alimentation pour les centres de données, l’industrie et l’automobile, tout en offrant une capacité de production de GaN basée aux États-Unis pour une clientèle mondiale.
Alors que les technologies CMOS traditionnelles en silicium atteignent leurs limites de performance, le GaN s’impose comme une solution de nouvelle génération pour répondre à la demande croissante d’efficacité énergétique, de densité de puissance et de compacité dans les systèmes d’alimentation. GF développe actuellement un portefeuille GaN comprenant des technologies hautes performances de 650 V et 80 V, destinées aux véhicules électriques, aux centres de données, aux systèmes d’énergie renouvelable et aux dispositifs de charge rapide.
GF indique qu’elle qualifiera la technologie GaN sous licence dans son usine de Burlington, dans le Vermont, en s’appuyant sur l’expertise du site dans la technologie GaN-sur-silicium à haute tension afin d’accélérer la production en volume pour les clients recherchant des dispositifs d’alimentation de nouvelle génération. Le développement devrait débuter au début de l’année 2026, avec une production prévue plus tard la même année.
« Cet accord renforce l’engagement de GF en faveur de l’innovation et sa stratégie axée sur des technologies différenciées répondant aux besoins essentiels en matière de dispositifs de puissance utilisés dans notre vie quotidienne, au travail et dans nos communications », a déclaré Téa Williams, vice-présidente senior de la division Power de GlobalFoundries, dans un communiqué.
