X-FAB propose désormais des services de fonderie GaN-on-Si dans l'industrie des semi-conducteurs
X-FAB, acteur majeur des fonderies “pure-play”, élargit son portefeuille : l’entreprise a annoncé dans un communiqué offrir désormais des services de fonderie pour dispositifs GaN-on-Si (Gallium Nitride sur Silicium), s’appuyant sur sa plateforme technologique XG035. Le GaN, reconnu pour ses propriétés de bande interdite large (WBG), permet de fabriquer des puces électroniques capables de fonctionner à hautes tensions et fréquences, ouvrant de nouvelles possibilités pour les applications de conversion et de gestion de puissance.
C’est dans sa fabrique ultrapointue de Dresde que X-FAB développe ces nouvelles technologies, combinant équipements spécialisés, outils de mesure haute précision et procédés adaptés au traitement des tranches de GaN-on-Si plus épaisses demandées par les secteurs automobile, industriel et centres de données. Cette infrastructure, déjà qualifiée pour l’automobile et réputée stable, maximise la qualité et la reproductibilité, deux facteurs clés dans l’industrie des semi-conducteurs.
Des procédés avancés pour des applications diverses
L’offre GaN-on-Si de X-FAB inclut des transistors HEMT (High Electron Mobility Transistors) dMode scalables de 100 V à 650 V, parfaitement adaptés à la conversion d’énergie haute efficacité.
Des solutions sur mesure sont également proposées, telles que les dispositifs eMode HEMT et des diodes Schottky Barrier, essentielles pour les alimentations à découpage, le redressement haute fréquence et les systèmes d’énergie solaire. Cette diversité permet de cibler des marchés allant de la recharge rapide des véhicules électriques jusqu’aux serveurs de centres de données boostés par l’intelligence artificielle.
Les atouts techniques du GaN-on-Si : taille réduite, rendement supérieur
Les technologies GaN-on-Si de X-FAB se distinguent par leur faible résistance à l’état passant (RDS_on) et leur capacité de commutation ultra-rapide. Elles combinent une grande compacité, une excellente tenue en tension et une meilleure efficacité énergétique, ce qui les place au centre des priorités d’innovation pour des dispositifs comme les convertisseurs de puissance dans les véhicules électriques et les GPU des centres de calcul IA.
Accessibilité et innovation ouverte : prototypage accéléré et MPW
X-FAB facilite l’accès à ces technologies de pointe grâce à la mise à disposition d’un PDK (Process Design Kit) pour simplifier la conception de circuits et accélérer le passage du design à la production. Dès le quatrième trimestre 2025, un service public MPW (Multi-Project Wafer) permettra aux clients de partager un wafer pour fabriquer leurs prototypes, rendant le prototypage et la production à petite échelle financièrement abordables pour les start-ups et bureaux d’études “fabless”.
Avec cette nouvelle offre, X-FAB s’affirme comme un partenaire incontournable des sociétés cherchant à industrialiser des solutions GaN avancées sans posséder d’usines propres. Fort de son expérience en CMOS automobile et de la qualification déjà acquise sur le 350 nm, X-FAB propose une montée en volume rapide et fiable, répondant à la demande croissante induite par la transition énergétique, la montée de l’IA et les nouveaux besoins de gestion de l’énergie à toutes les étapes de l’électronique moderne.
