Fin des dérogations américaines pour Samsung et SK Hynix en Chine
Samsung produit environ 35 à 40 % de sa mémoire flash NAND totale dans son usine du Shaanxi, tandis que SK Hynix fabrique environ 40 % de sa DRAM dans le Jiangsu et 20 % de sa NAND flash dans le Liaoning.
Les États-Unis compliquent la production de puces en Chine pour Samsung et SK Hynix en révoquant les autorisations qui permettaient aux deux fabricants sud-coréens de recevoir sur place des équipements américains de fabrication de semi-conducteurs, rapporte Reuters, citant un document fédéral.
Ces révocations entreront en vigueur dans un délai de 120 jours.
L’administration Biden avait jusqu’ici autorisé les deux groupes à transférer des équipements américains vers leurs usines chinoises sans devoir déposer de demande de licence pour chaque envoi. Désormais, les deux plus grands producteurs mondiaux de mémoires devront obtenir une autorisation pour tout achat d’équipement destiné à la Chine.
Intel figure également parmi les entreprises ayant perdu cette dérogation. Toutefois, le groupe américain avait déjà cédé son unité de Dalian, en Chine.
Selon The Korea Economic Daily, Samsung produit environ 35 à 40 % de sa mémoire flash NAND totale dans son usine du Shaanxi, tandis que SK Hynix fabrique environ 40 % de sa DRAM dans le Jiangsu et 20 % de sa NAND flash dans le Liaoning.
Samsung et SK Hynix pourraient revoir leur stratégie à long terme concernant leurs unités chinoises afin d’éviter toute perturbation de leur production.
