IQE et X-FAB lancent un projet innovant autour des dispositifs GaN 650V
IQE plc, leader mondial des solutions avancées de semi-conducteurs, et X-FAB Silicon Foundries SE, spécialiste des fonderies analogiques et mixtes, ont tous deux annoncé dans un communiqué la signature d’un accord de développement conjoint (Joint Development Agreement, JDA) visant à créer une plateforme européenne de dispositifs de puissance en nitrure de gallium (GaN). Cette initiative marque une étape importante dans le domaine de l'électronique de puissance, avec un accent sur l'innovation et la fabrication externalisée.
Le partenariat se concentre sur le développement d’un dispositif GaN 650V, destiné à des applications clés telles que l’automobile, les centres de données et les produits grand public. IQE apporte son expertise en conception et procédés d’épitaxie GaN, tandis que X-FAB met à profit ses capacités en développement technologique et en fabrication de dispositifs. Ensemble, ils visent à optimiser la combinaison technologie-substrat pour répondre aux besoins croissants du marché des composants électroniques de puissance.
Accélérer l’innovation grâce à une plateforme prête à l’emploi
Cette collaboration offre aux entreprises "fabless" (sans usine) une solution clé en main pour leurs dispositifs GaN. En proposant une plateforme prête à l’emploi, IQE et X-FAB permettent aux fabricants d’accélérer leurs cycles d’innovation et leur mise sur le marché. Ce modèle réduit les délais de développement tout en posant les bases pour des produits futurs allant au-delà des spécifications 650V.
Renforcer la capacité européenne en semi-conducteurs
Le projet s’inscrit dans une stratégie plus large visant à renforcer la position de l’Europe dans la technologie des semi-conducteurs de nouvelle génération. Selon Jörg Doblaski, Directeur Technique chez X-FAB, cette collaboration représente une alternative convaincante aux modèles traditionnels de chaîne d’approvisionnement tout en consolidant le leadership européen dans le domaine des semi-conducteurs de puissance.
Investissements stratégiques et diversification technologique
IQE a récemment investi dans des capacités supplémentaires pour ses réacteurs GaN, renforçant ainsi sa stratégie de diversification. Jutta Meier, PDG intérimaire d’IQE, souligne que cet accord élargit la portée client du groupe tout en accélérant la mise sur le marché des applications GaN. Cela illustre clairement l’engagement des deux entreprises à répondre aux besoins croissants du secteur tout en offrant des solutions innovantes.
Avec cette initiative conjointe, IQE et X-FAB ouvrent la voie à une nouvelle génération d’applications électroniques de puissance. En combinant leurs expertises respectives, ils créent une plateforme unique qui répond aux exigences actuelles tout en anticipant les besoins futurs.
