Innoscience et STMicroelectronics révolutionnent l'électronique avec la technologie GaN
STMicroelectronics a annoncé dans un communiqué la signature d’un accord avec Innoscience, une société chinoise de semi-conducteurs, pour accélérer l’adoption de la technologie GaN (gallium nitride). Cet accord marque une étape importante dans l’évolution des solutions électroniques de puissance, avec des implications majeures pour des secteurs tels que les centres de données, les véhicules électriques, les énergies renouvelables et bien d’autres.
Le GaN est un matériau semi-conducteur à large bande interdite qui surpasse le silicium dans plusieurs domaines critiques. Grâce à sa capacité à fonctionner à des tensions élevées, des fréquences rapides et des températures extrêmes, le GaN permet une efficacité énergétique accrue, des pertes réduites et une miniaturisation significative des composants électroniques. Ces caractéristiques en font un choix idéal pour les applications exigeantes telles que les alimentations électriques, les communications 5G et les systèmes industriels.
Objectifs de l’accord ST-Innoscience
L’accord vise à combiner les forces des deux entreprises pour développer et fabriquer des dispositifs de puissance GaN plus performants. Innoscience pourra utiliser la capacité de fabrication européenne de ST pour ses wafers GaN, tandis que ST profitera des installations d’Innoscience en Chine. Cette collaboration stratégique garantit davantage de flexibilité dans la chaîne d’approvisionnement mondiale et permet aux deux partenaires de répondre aux besoins variés de leurs clients
Applications clés
La technologie GaN est en train de redéfinir plusieurs secteurs grâce à ses avantages uniques :
- Centres de données : Les dispositifs GaN permettent d’atteindre une efficacité énergétique dépassant 99 %, réduisant considérablement la consommation électrique et les besoins en refroidissement.
- Véhicules électriques (EV) : Les convertisseurs et onduleurs basés sur le GaN améliorent l’autonomie des batteries tout en réduisant le poids et la taille des composants.
- Énergies renouvelables : Les onduleurs solaires utilisant le GaN maximisent l’efficacité énergétique tout en diminuant l’empreinte carbone globale.
- Électronique grand public : Les chargeurs rapides et adaptateurs basés sur le GaN offrent des designs plus compacts et efficaces, répondant à la demande croissante pour des solutions portables.
Avantages du GaN
Le GaN offre plusieurs avantages techniques par rapport au silicium traditionnel :
- Meilleure efficacité énergétique : Réduction des pertes énergétiques jusqu’à 80 % dans les convertisseurs de puissance.
- Miniaturisation : Les composants peuvent être jusqu’à 60 % plus petits grâce à des fréquences de commutation plus élevées.
- Gestion thermique améliorée : Une conductivité thermique supérieure permet une dissipation efficace de la chaleur, même dans des conditions extrêmes.
Ces propriétés permettent non seulement d’améliorer les performances globales des systèmes électroniques, mais aussi de réduire leur coût total et leur impact environnemental.
Impact global sur l’industrie
L’accord entre STMicroelectronics et Innoscience intervient à un moment où le marché du GaN connaît une croissance exponentielle. La demande croissante pour des solutions énergétiques efficaces dans les secteurs comme l’automobile, les télécommunications et les infrastructures numériques alimente cette expansion.
Selon les prévisions, le marché mondial des dispositifs GaN pourrait atteindre 12,8 milliards de dollars d’ici 2033, avec un taux de croissance annuel composé (CAGR) impressionnant de 45,6 %.
